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半导体工艺设备定制
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龙玺精密-ALD原子层沉积设备-可非标定制
原子层沉积技术以精准控制薄层厚度,均匀性,保型性而著称,广泛应用于集成电路(IC)行业,它使得电子器件持续微型化成为可能,逐渐成为了微电子器件制造,半导体领域的必要技术。例如用于制备品体管栅堆垛、刻蚀终止层。 紧凑型原子层沉积系统,系统为全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜。(可沉积氧的化物: HfO2,AI203,TiO2,Si02ZnO, Ta20等;氮化物:TiN,Si3N4等;)。 应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层,非常方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源,用于前驱体以及反应物,同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。

ALD原子层沉积设备特点:
·不均匀性低于1%;
·阳极氧化铝腔体;
·小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量;
·最大可支持4英寸的基片;
·最多支持4路50cc/100cc前驱体源;
·高深宽比结构的保形生长;
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